半导体级超纯难熔金属粉

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采用国际领先的等离子 PDR 应用技术，获得超高纯度的难熔金属粉体，如：钨、钼、钽等，其中所制备出的球形钨粉，结合粉末烧结，达到靶材的超高纯度和晶粒取向控制，开拓了超高纯度（99.999%以上）靶材制造的新方向，氧含量更可控制在 50PPM 以下，实现了进口替代。采用等离子 PDR 技术工艺路线所生产出的难熔金属球形粉体，在流动性、松装密度、振实密度、球形度、纯度和氧含量等性能指标方面都具备明显的优势。